通光孔径
10~12
有效通光口径
≥90%
消光比
＞1000~1500:1
电极类型
引线型
λ/4电压（V）
3400V
电容（pF）
< 8
插入损耗
<3%
激光损伤阈值
>700~800/cm² @1064nm 10ns 40Hz 光束无强点
DKDP电光Q开关（Q-switch，Pockels Cells）因其独特的物理特性和优异的光学品质而广泛应用于大口径、高功率、窄脉宽 （<10ns）激光系统。 DKDP晶体是单轴晶体，具有优异的光学质量，其消光比>2000:1（使用632nm He-Ne激光测量)，波前畸变98％。DKDP电光Q 开关电容小（约为3-5pF），因而上升时间短（<0.5ns），在调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光。与市场上使用较广泛的电光晶体相比，DKDP晶体具有较高的损伤阈值; 在脉宽10ns、波长为1064nm、重复频率 10Hz的光学条件下，损伤阈值>1GW/cm²。
基本特性:
l 波前畸变: 低电容 l 上升时间短: ～3pF l 高透过率: >98％ l 高损伤阈值: >1GW/cm2 l 无静态双折射，无光折变损伤
l 镀增透膜的保护性石英窗口 l 耐环境温度冲击和优异的电光性能
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